[发明专利]一种非金属材料半球向全发射率的测量方法和装置有效
| 申请号： | 201010529042.6 | 申请日： | 2010-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN102072916A | 公开（公告）日： | 2011-05-25 |
| 发明（设计）人： | 符泰然;谈鹏;孟迎潮 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | G01N25/00 | 分类号： | G01N25/00;G01K17/00 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王莹 |
| 地址： | 100084 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及测量材料热物理参数技术领域，特别涉及一种非金属材料半球向全发射率的测量方法和装置，该测量方法包括步骤：在真空环境中，选用多段组合的圆柱套筒状待测样品的中间段中心区域作为目标分析区域；将通电后的加热模块贯穿嵌入待测样品的内部；通过测量待测样品中间段和目标分析区域的几何尺寸以及在热平衡状态下，真空环境内部温度、待测样品中间段和目标分析区域的表面温度和热量功率，计算出半球向全发射率。本发明采用将加热模块内嵌于圆柱套筒状待测样品内部的加热方法，满足了高温下对非金属材料进行半球向全发射率测量的需求，并且具有测量装置结构简单、测量数据精度高等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 非金属材料 半球 发射 测量方法 装置 | ||
【主权项】：
一种非金属材料半球向全发射率的测量方法，其特征在于，包括步骤：S1，在真空环境中，选定多段组合的圆柱套筒状待测样品的中间段的中心区域作为目标分析区域；S2，将通电后的加热模块贯穿嵌入所述待测样品的内部；S3，通过测量所述待测样品中间段和目标分析区域的几何尺寸以及在热平衡状态下，真空环境内部温度、待测样品目标分析区域的表面温度和热量功率，计算出半球向全发射率。
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