[发明专利]生成镍合金自对准硅化物的方法

摘要

本发明公开了一种生成镍合金自对准硅化物的方法，包括：提供待生产晶圆，在待生产晶圆中选取第一晶圆和第二晶圆，使用第一镍合金靶在所述第一晶圆表面生成第一镍合金金属膜，在第一晶圆上由第一镍合金金属膜生成第一镍合金自对准硅化物，查找所述第一晶圆上的缺陷区域，制作第二镍合金靶，使用第二镍合金靶在第二晶圆表面生成第二镍合金金属膜，在第二晶圆上由第二镍合金金属膜生成第二镍合金自对准硅化物。根据本发明的生成镍合金自对准硅化物的方法，能够有效降低镍合金自对准硅化物中的镍对CMOS器件的沟道区的侵蚀作用，提高CMOS器件性能和晶圆良率。本发明在提高CMOS器件性能的同时，还有效地降低了昂贵的约束金属的用量。

主权项

一种生成镍合金自对准硅化物的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：提供待生产晶圆，其中，所述待生产晶圆上已生成CMOS器件；在所述待生产晶圆中选取第一晶圆和第二晶圆；使用第一镍合金靶在所述第一晶圆表面生成第一镍合金金属膜，其中，所述第一镍合金靶由镍和约束金属构成，所述约束金属在所述第一镍合金靶中具有第一约束金属含量且均匀分布；在所述第一晶圆上由所述第一镍合金金属膜生成第一镍合金自对准硅化物；查找所述第一晶圆上的缺陷区域；制作第二镍合金靶，其中，所述第二镍合金靶的成份与所述第一镍合金靶相同，且将所述第二镍合金靶中与所述缺陷区域相对应的补偿区域的约束金属的含量提高至第二约束金属含量，而所述第二镍合金靶中所述补偿区域外的区域的约束金属含量等于所述第一约束金属含量；使用所述第二镍合金靶在所述第二晶圆表面生成第二镍合金金属膜；在所述第二晶圆上由所述第二镍合金金属膜生成第二镍合金自对准硅化物。