[发明专利]具有InGaN层的半导体器件有效
| 申请号： | 201010508579.4 | 申请日： | 2010-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN102088163A | 公开（公告）日： | 2011-06-08 |
| 发明（设计）人： | F·勒泰特 | 申请（专利权）人： | S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/187;H01S5/343 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及具有InGaN层的半导体器件。本发明还涉及一种制造垂直光电结构的方法，包括以下步骤：a)提供第一衬底和形成在第一衬底上的InGaN晶种层的堆叠；b)在InGaN晶种层上生长InGaN层，以便获得衬底上InGaN结构；c)形成覆盖InGaN层的表面的第一反光镜层；d)分离第一衬底；以及e)形成覆盖InGaN的相对表面的第二反光镜层。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 ingan 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种制造垂直光电结构的方法，包括以下步骤：a)提供第一衬底(1)和形成在所述第一衬底(1)上的InGaN晶种层(3)的堆叠；b)在所述InGaN晶种层(3)上生长InGaN层(4)，以便获得衬底上InGaN结构；c)形成覆盖InGaN层(4)的表面的第一反光镜层(6)；d)分离第一衬底(1)；以及e)形成覆盖InGaN(4)的相对表面的第二反光镜层(7)。
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