[发明专利]生产多晶硅所产生的尾气的回收利用方法无效

专利信息
申请号: 201010300173.7 申请日: 2010-01-11
公开(公告)号: CN101774544A 公开(公告)日: 2010-07-14
发明(设计)人: 唐前正;何劲;赵炯;税欣;周俊 申请(专利权)人: 乐山乐电天威硅业科技有限责任公司
主分类号: C01B7/07 分类号: C01B7/07;B01D53/14;C30B29/06
代理公司: 成都虹桥专利事务所 51124 代理人: 武森涛
地址: 614000四川省*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明涉及生产多晶硅所产生的尾气的回收利用方法,属于气体分离领域。本发明所解决的技术问题是提供了一种生产多晶硅所产生的尾气的回收利用方法,该方法可以分离得到纯度较高的氯化氢。本发明生产多晶硅所产生的尾气的回收利用方法,包括如下步骤:a、一次气体淋洗:生产多晶硅所产生的尾气用氯硅烷液体吸收,得到富液,富液与氯硅烷气体进行热交换,得到气相1;b、二次气体淋洗:气相1与氯硅烷液体进行热交换,得到气相2;c、一次冷凝:气相2于-20~-10℃冷凝,得到氯硅烷液体和气相3;d、三次气体淋洗:气相3与氯化氢液体进行热交换,得到氯硅烷液体和气相4;e、二次冷凝:气相4于-40~-45℃冷凝,分离得到液体氯化氢和氢气。
搜索关键词: 生产 多晶 产生 尾气 回收 利用 方法
【主权项】:
生产多晶硅所产生的尾气的回收利用方法,包括如下步骤:a、尾气吸收:生产多晶硅所产生的尾气用氯硅烷液体吸收,得到富液;b、一次气体淋洗:富液与氯硅烷气体进行热交换,得到气相1;c、二次气体淋洗:气相1与氯硅烷液体进行热交换,得到气相2;d、一次冷凝:气相2于-20~-10℃冷凝,得到氯硅烷液体和气相3;e、三次气体淋洗:气相3与氯化氢液体进行热交换,得到氯硅烷液体和气相4;f、二次冷凝:气相4于-40~-45℃冷凝,分离得到液体氯化氢和氢气。
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