[发明专利]自旋存储器和自旋晶体管有效
| 申请号： | 201010294132.1 | 申请日： | 2010-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN102194848A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 井口智明;丸龟孝生;石川瑞惠;杉山英行;相川尚德;中山昌彦;岸达也;与田博明;斋藤好昭 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L27/22 | 分类号： | H01L27/22;H01L29/66;G11C11/16 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 徐殿军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种自旋存储器和自旋晶体管，该自旋存储器具备包括铁磁性层叠膜的存储器单元，所述铁磁性层叠膜具有由第1铁磁性层、第1非磁性层、第2铁磁性层、第2非磁性层以及第3铁磁性层按该顺序或者相反顺序层叠而成的层叠结构，第3铁磁性层和第2铁磁性层经由第2非磁性层而反铁磁性地交换耦合，在铁磁性层叠膜中从第1铁磁性层向第3铁磁性层流通单一方向的电流，根据电流的大小对第1铁磁性层进行不同磁化状态的写入，并且进行从第1铁磁性层的读出。 | ||
| 搜索关键词： | 自旋 存储器 晶体管 | ||
【主权项】：
一种自旋存储器，其特征在于：具备包括铁磁性层叠膜的存储器单元，所述铁磁性层叠膜具有由第1铁磁性层、第1非磁性层、第2铁磁性层、第2非磁性层以及第3铁磁性层按所提及的顺序或者相反顺序层叠而成的层叠结构，上述第3铁磁性层和上述第2铁磁性层经由上述第2非磁性层而反铁磁性地交换耦合，在上述铁磁性层叠膜中从上述第1铁磁性层向上述第3铁磁性层流通单一方向的电流，根据上述电流的大小对上述第1铁磁性层进行不同磁化状态的写入，并且进行从上述第1铁磁性层的读出。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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