[发明专利]半导体存储器件有效
申请号: | 201010284307.0 | 申请日: | 2010-09-14 |
公开(公告)号: | CN102024816A | 公开(公告)日: | 2011-04-20 |
发明(设计)人: | 武田晃一 | 申请(专利权)人: | 瑞萨电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/11 | 分类号: | H01L27/11;G11C11/412 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 孙志湧;穆德骏 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及一种半导体存储器件。根据本发明的半导体存储器件包括:第一存储器单元阵列,其中多个第一存储器单元被布置成矩阵,数据被从第一存储器单元读取或者被写入到第一存储器单元;和第二存储器单元阵列,其中多个第二存储器单元被布置成矩阵,所述第二存储器单元放大并且存储被布置在相对应的列中的多个第一存储器单元中的一个存储器单元的数据。第一存储器单元阵列和第二存储器单元阵列被布置为在列方向上面对面。第二存储器单元的面积大于第一存储器单元的面积。第一存储器单元阵列的面积是第二存储器单元阵列的面积的两倍或者更大。 | ||
搜索关键词: | 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】:
一种半导体存储器件,包括:第一存储器单元阵列,其中多个第一存储器单元被布置成矩阵,数据被从所述第一存储器单元读取或者被写入到所述第一存储器单元;和第二存储器单元阵列,其中多个第二存储器单元被布置成矩阵,所述第二存储器单元放大并且存储被布置在相对应的列中的所述多个第一存储器单元中的一个存储器单元的数据,所述第一存储器单元阵列和所述第二存储器单元阵列被布置为在列方向上面对面;所述第二存储器单元的面积大于所述第一存储器单元的面积;并且所述第一存储器单元阵列的面积是所述第二存储器单元阵列的面积的两倍或者更大。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的