[发明专利]半导体存储器件有效

专利信息
申请号: 201010284307.0 申请日: 2010-09-14
公开(公告)号: CN102024816A 公开(公告)日: 2011-04-20
发明(设计)人: 武田晃一 申请(专利权)人: 瑞萨电子株式会社
主分类号: H01L27/11 分类号: H01L27/11;G11C11/412
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 孙志湧;穆德骏
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明涉及一种半导体存储器件。根据本发明的半导体存储器件包括:第一存储器单元阵列,其中多个第一存储器单元被布置成矩阵,数据被从第一存储器单元读取或者被写入到第一存储器单元;和第二存储器单元阵列,其中多个第二存储器单元被布置成矩阵,所述第二存储器单元放大并且存储被布置在相对应的列中的多个第一存储器单元中的一个存储器单元的数据。第一存储器单元阵列和第二存储器单元阵列被布置为在列方向上面对面。第二存储器单元的面积大于第一存储器单元的面积。第一存储器单元阵列的面积是第二存储器单元阵列的面积的两倍或者更大。
搜索关键词: 半导体 存储 器件
【主权项】:
一种半导体存储器件,包括:第一存储器单元阵列,其中多个第一存储器单元被布置成矩阵,数据被从所述第一存储器单元读取或者被写入到所述第一存储器单元;和第二存储器单元阵列,其中多个第二存储器单元被布置成矩阵,所述第二存储器单元放大并且存储被布置在相对应的列中的所述多个第一存储器单元中的一个存储器单元的数据,所述第一存储器单元阵列和所述第二存储器单元阵列被布置为在列方向上面对面;所述第二存储器单元的面积大于所述第一存储器单元的面积;并且所述第一存储器单元阵列的面积是所述第二存储器单元阵列的面积的两倍或者更大。
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