[发明专利]包括电阻器的半导体器件及其制造方法有效
申请号: | 201010283670.0 | 申请日: | 2010-09-15 |
公开(公告)号: | CN102024822A | 公开(公告)日: | 2011-04-20 |
发明(设计)人: | 朴允文;金建秀;辛镇铉;沈载煌 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/115 | 分类号: | H01L27/115;H01L27/02;H01L27/06;H01L21/8247 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 戎志敏 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本申请提供了一种包括电阻器的半导体器件及其制造方法的实施例。该半导体器件包括:模型图案,被布置在半导体衬底上以限定沟槽;电阻图案,包括本体区以及第一接触区和第二接触区,本体区覆盖沟槽的底部和侧壁,第一接触区和第二接触区分别在模型图案的上表面上从本体区开始延伸;以及第一线和第二线,分别接触第一接触区和第二接触区。 | ||
搜索关键词: | 包括 电阻器 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体器件,包括:模型图案,被布置在半导体衬底上以限定沟槽;电阻图案,包括本体区以及第一接触区和第二接触区,本体区覆盖沟槽的底部和侧壁,第一接触区和第二接触区分别在模型图案的上表面上从本体区开始延伸;以及第一线和第二线,分别接触第一接触区和第二接触区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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