[发明专利]一种纳米铜膜基铜纳米结构的制备方法无效
| 申请号： | 201010278840.6 | 申请日： | 2010-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN101949004A | 公开（公告）日： | 2011-01-19 |
| 发明（设计）人： | 苏江滨;李论雄;金旦;谢建生 | 申请（专利权）人： | 常州大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/18;C23C14/58 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 楼高潮 |
| 地址： | 213164 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种纳米铜膜基铜纳米结构的制备方法，涉及一种纳米结构的制备和组装方法。本发明先将玻璃衬底清洗干净，然后置于磁控溅射腔室中在室温下沉积合适厚度的纳米铜膜，再将该玻璃衬底切成几小片进行不同时间的高真空退火处理，通过控制退火时间直接在纳米铜膜表面形成各种形状的铜纳米结构，并利用场发射扫描电子显微镜拍照记录同一玻璃衬底上多处纳米铜膜的表面形貌，获得典型的纳米铜膜及其表面上铜纳米结构的特征。本发明首次从纳米曲率效应和热激活效应角度出发，通过对合适厚度的纳米级铜膜进行不同时间的退火处理，直接在纳米铜膜表面上可控制备了各种纳米铜膜基铜纳米结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 铜膜基铜 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种纳米铜膜基铜纳米结构的制备方法，步骤如下：1)玻璃衬底的准备：取玻璃衬底置于有机溶剂中超声清洗，然后用去离子水反复冲洗，再将玻璃衬底正反两面残留的水分吹干，最后将玻璃衬底烘干，作为沉积纳米铜膜的衬底；2)纳米铜膜的制备：先将准备好的玻璃衬底置于磁控溅射腔室中，装上高纯铜靶，抽高真空，然后通溅射气体并保持腔室气压一定，调节样品盘转速和溅射功率，移开挡板在室温下开始沉积铜膜，同时利用石英晶振膜厚仪对膜厚和沉积速率进行实时监控，沉积一定厚度的纳米铜膜；3)纳米铜膜的退火处理：将上述沉积有纳米铜膜的玻璃衬底置于高真空退火炉中进行退火，通过改变退火时间来制备各种不同的纳米铜膜基铜纳米结构。
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