[发明专利]高压VDMOS器件结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201010277296.3 | 申请日： | 2010-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN101950760A | 公开（公告）日： | 2011-01-19 |
| 发明（设计）人： | 张邵华;李敏;张凤爽 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310012*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提出的高压VDMOS器件结构在原有的VDMOS器件上增加栅极电阻，从而增强VDMOS器件的栅极抗电流冲击能力，大大增加对VDMOS器件栅极的保护，该器件结构简单，简化设计复杂度。同时本发明提出的高压VDMOS器件的制造方法可以在原有的工艺基础上实现，不需要改动工艺，制造简单。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 vdmos 器件 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
高压VDMOS器件结构，其特征在于包括栅极压点与各VDMOS元胞：其中，所述栅极压点依次包括外延层、P型掺杂层、绝缘氧化层、多晶硅层、铝层。多晶硅两端连接铝，一端的铝作为栅极压点，另一端的铝则与所述各VDMOS元胞中的栅极相连接。
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