[发明专利]一种用于磁随机存取存储器的磁性多层膜有效
| 申请号： | 201010259764.4 | 申请日： | 2010-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN102376345A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 于国强;魏红祥;詹文山;韩秀峰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 王勇 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种磁性多层膜及其MRAM存储单元。其中，磁性多层膜包括用于产生TMR效应的MTJ多层膜和位于该MTJ多层膜以下的用于产生GMR效应的GMR多层膜，其中MTJ多层膜和GMR多层膜共用自由层，其中所述GMR多层膜的相邻于MTJ多层膜一侧的至少一部分被暴露，穿过该暴露部分的电流用于翻转所述自由层磁矩。采用本发明的磁性多层膜可以有效降低器件使用时的功耗，同时避免存储单元在高密度电流反复无限次写入时造成势垒的损坏和存储单元的失效，达到长寿命的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 随机存取存储器 磁性 多层 | ||
【主权项】：
一种用于MRAM的磁性多层膜，该磁性多层膜包括用于产生TMR效应的MTJ多层膜和位于该MTJ多层膜以下的用于产生GMR效应的GMR多层膜，其中MTJ多层膜和GMR多层膜共用自由层，其特征在于：所述GMR多层膜的相邻于MTJ多层膜一侧的至少一部分被暴露，穿过该暴露部分的电流用于翻转所述自由层磁矩。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院物理研究所，未经中国科学院物理研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010259764.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：纸张类处理系统及纸张类判别装置
- 下一篇：便于柴油机拆装的翻转装置
