[发明专利]一种离子注入剂量检测控制方法有效
| 申请号： | 201010255031.3 | 申请日： | 2010-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN102376519A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 汪明刚;刘杰;夏洋;李超波;陈瑶;赵丽莉;李勇滔 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人： | 王建国 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种等离子体浸没注入离子剂量检测控制方法，属于等等离子体浸没注入剂量检测技术领域。其方法首先测量等离子体特性参数以及等离子体中的粒子组分和各组分的粒子含量；将等离子体中的所有离子和基团的质量等效为同一质量；将等离子体中的所有离子和基团的带电荷量等效为同一带电荷量；当等离子体目标注入剂量确定时，利用准静态蔡尔德-朗缪尔鞘层注入模型理论，计算得到该目标注入剂量的注入工艺时间。本发明的注入离子剂量检测控制的方法可以克服现有离子注入剂量检测方法中存在多种带电离子检测的问题；同时还可以用于等离子体浸没注入机的注入工艺流程控制。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 离子 注入 剂量 检测 控制 方法 | ||
【主权项】：
一种离子注入剂量检测控制方法，其特征在于，包括：测量等离子体中的离子密度、电子温度以及等离子体中的粒子组分和各组分的粒子含量；将等离子体中的所有离子和基团的质量等效为相同质量；将等离子体中的所有离子和基团的带电荷量等效为相同带电荷量；当等离子体目标注入剂量确定时，利用准静态蔡尔德‑朗缪尔鞘层注入模型理论，计算得到该目标注入剂量的注入工艺时间；及当等离子体注入工艺时间确定时，利用准静态蔡尔德‑朗缪尔鞘层注入模型理论，计算得到该注入工艺时间内的注入离子剂量。
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