[发明专利]利用氧等离子体辅助脉冲激光沉积法制备钛铌镁酸铅薄膜有效
| 申请号： | 201010241301.5 | 申请日： | 2010-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN101892522A | 公开（公告）日： | 2010-11-24 |
| 发明（设计）人： | 李效民;何邕;高相东;冷雪 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C30B29/22 | 分类号： | C30B29/22;C30B29/32;C30B29/30;C30B23/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种利用氧等离子体辅助的脉冲激光沉积法制备钛铌镁酸铅薄膜的方法，特征在于，通过在脉冲激光沉积方法制备钛铌镁酸铅薄膜过程中引入高活性的氧等离子体，改善其结晶性和形貌，从而获得高质量钛铌镁酸铅薄膜。具体过程是将钛铌镁酸铅靶材和衬底一起置于真空室中；将真空室抽真空，并将衬底加热至一定温度；然后通入一定量高纯氧气，通过气体电离系统施加高压将氧气电离，形成高活性氧等离子体；氧等离子体位于钛铌镁酸铅靶材和衬底之间；利用高能脉冲激光轰击钛铌镁酸铅靶材，产生高能等离子体，在衬底上沉积得到钛铌镁酸铅薄膜。本发明制备的钛铌镁酸铅薄膜结晶质量良好、结构致密，介电和铁电性能优异。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 等离子体 辅助 脉冲 激光 沉积 法制 备钛铌镁酸铅 薄膜 | ||
【主权项】：
一种利用氧等离子体辅助脉冲激光沉积法制备钛铌镁酸铅薄膜的方法，首先，将钛铌镁酸铅靶材和衬底置于真空室中，抽真空后将衬底加热到一定温度，其特征在于接着向真空室通入高纯氧气并用外部电源施加高压将氧气等离子化，然后通过高能脉冲激光轰击靶材，在靶材表层蒸发产生高能等离子体，传输到衬底上沉积成膜。
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