[发明专利]用于改进无引线C4互连可靠性的结构和方法无效
| 申请号： | 201010229586.0 | 申请日： | 2010-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN101958260A | 公开（公告）日： | 2011-01-26 |
| 发明（设计）人： | T·H·道本斯佩克;J·P·甘比诺;C·D·穆兹;D·L·奎斯塔德;W·索特;T·D·沙利文;P·P·弗蒂尔 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/485 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 吴立明;陈宇萱 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 可控坍塌芯片连接(C4)结构和制造方法，并且更具体地，涉及用以改进无引线C4互连可靠性的结构和方法。一种结构，包括球限定金属化(BLM)层和形成于所述BLM层之上的可控坍塌芯片连接(C4)焊料球。此外，该结构包括所述BLM层之下的最终金属焊盘层以及所述最终金属焊盘层之下的保护层。而且，该结构包括在所述C4焊料球之下、并且在所述最终金属焊盘层与所述BLM层和所述保护层之一之间形成的空气间隙。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 改进 引线 c4 互连 可靠性 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种制作集成电路(IC)封装结构的方法，包括：形成至少一个聚酰亚胺层；刻蚀所述至少一个聚酰亚胺层，以提供去往金属焊盘和至少一个支撑肩的最终通孔；在所述最终通孔内、并且至少与所述金属焊盘和所述至少一个聚酰亚胺层的部分相接触地形成球限定金属化(BLM)层；以及在所述BLM层上形成可控坍塌芯片连接(C4)焊料球，使得所述C4焊料球由所述至少一个支撑肩支撑。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
