[发明专利]一种集成有增透膜的碲镉汞红外焦平面及增透膜制备方法有效
申请号: | 201010198869.3 | 申请日: | 2010-06-11 |
公开(公告)号: | CN101894848A | 公开(公告)日: | 2010-11-24 |
发明(设计)人: | 廖清君;邢雯;胡晓宁 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海技术物理研究所 |
主分类号: | H01L27/144 | 分类号: | H01L27/144;H01L31/18 |
代理公司: | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人: | 郭英 |
地址: | 20008*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种集成有增透膜的光伏型碲镉汞红外焦平面及增透膜制备方法,该方法可以在保持碲镉汞红外焦平面模块结构的情况下,采用磁控溅射制备方法,通过工艺参数优化,低温生长了在特定的工作波段3.5~5um具有良好的增透射特性的增透薄膜,同时保证薄膜与碲镉汞红外探测器芯片衬底表面有很好的附着性,在高低温度变化过程中不脱落不改变性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 集成 增透膜 碲镉汞 红外 平面 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种集成有增透膜的中波光伏型碲镉汞红外焦平面,它由增透膜(1)、碲镉汞芯片(2)、衬底(3)、碲镉汞芯片上的铟柱阵列(4)、信号读出电路的铟柱阵列(5)、键压引线(7)、信号读出电路(8);聚氨酯改性环氧树脂(9)和宝石片引线基板(11)构成,其特征在于:所述的衬底(3)减薄抛光至40~50微米;所述的增透膜(1)是直接镀制在衬底(3)上的ZnS薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的