[发明专利]利用三块掩模板制作垂直双极性晶体管的方法

摘要

本发明的利用三块掩模板制作垂直双极性晶体管的方法包括以下步骤：在形成CMOS双阱的过程中，对第一导电类型的衬基的双极性晶体管区进行第一导电类型掺杂，形成集电极；在所述衬基的表面上形成多晶硅层，以第二导电类杂质对该多晶硅层进行选择性掺杂，以形成基极引出区；在所述多晶硅层的表面上依次形成氧化层和氮化层；去分氮化层、氧化层和基极引出区，形成双极性晶体管区的窗口；在所述窗口内形成第二导电类型的硅锗外延层作为基极；在所述窗口内形成侧墙；淀积第一导电类型的多晶硅填充所述窗口，再去除部分该第一导电类型的多晶硅，形成发射极；去除部分氮化层、氧化层及所述衬基表面上的部分多晶硅层，露出所述基极引出区。

主权项

一种利用三块掩模板制作垂直双极性晶体管的方法，其特征在于，包括以下步骤：在形成CMOS双阱的过程中，对第一导电类型的衬基的双极性晶体管区进行第一导电类型掺杂，以形成双极性晶体管的集电极；在所述衬基的表面上形成多晶硅层，以第二导电类杂质对该多晶硅层进行选择性掺杂，以形成双极性晶体管的基极引出区；在所述多晶硅层的表面上依次形成氧化层和氮化层；去除所述集电极上方部分氮化层、氧化层和基极引出区，以形成双极性晶体管区的窗口；在所述窗口内形成第二导电类型的硅锗外延层作为双极性晶体管的基极；在所述窗口内形成侧墙；淀积第一导电类型的多晶硅填充所述窗口，再去除部分该第一导电类型的多晶硅，以形成双极性晶体管的发射极；去除部分氮化层和氧化层；去除所述衬基表面上的部分多晶硅层，显露出所述基极引出区。