[发明专利]包括阱区的电子器件

摘要

本发明涉及一种包括阱区的电子器件。包括集成电路的电子器件可包括隐埋传导区和覆盖在隐埋传导区上的半导体层，以及延伸通过半导体层并电连接到隐埋传导区的垂直传导结构。集成电路还可包括掺杂结构，该掺杂结构具有与隐埋传导区比较相反的传导类型、放置成与到半导体层的主表面相比更接近于相对的表面并电连接到隐埋传导区。集成电路还可包括阱区，该阱区包括半导体层的一部分，其中该部分覆盖在掺杂结构上并具有与掺杂结构比较更低的掺杂浓度。在其它实施方式中，掺杂结构可与隐埋传导区间隔开。

主权项

一种包括集成电路的电子器件，包括：隐埋传导区；半导体层，其覆盖在所述隐埋传导区上，其中所述半导体层具有主表面和相对的表面，且所述隐埋传导区与到所述主表面相比更接近于所述相对的表面；第一垂直传导结构，其延伸通过所述半导体层并电连接到所述隐埋传导区；第一掺杂结构，其具有与所述隐埋传导层比较相反的传导类型，与到所述主表面相比更接近于所述相对的表面，并电连接到所述隐埋传导区；以及第一阱区，其包括所述半导体层的第一部分，其中：所述第一部分覆盖在所述第一掺杂结构上；以及所述第一部分具有与所述第一掺杂结构比较更低的掺杂浓度。