[发明专利]静电放电防护装置及静电放电防护电路有效
申请号: | 201010196416.7 | 申请日: | 2010-06-02 |
公开(公告)号: | CN102270637A | 公开(公告)日: | 2011-12-07 |
发明(设计)人: | 柯明道;许哲纶;陈稳义;周业宁;黄晔仁 | 申请(专利权)人: | 世界先进积体电路股份有限公司;国立交通大学 |
主分类号: | H01L27/04 | 分类号: | H01L27/04;H01L29/06 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 任默闻 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开了一种静电放电防护装置及电路,包括衬底、第一井区、第二井区、第一、第二、第三及第四扩散区、本体、第一及第二栅极。衬底具有第一导电型。第一及第二井区具有第二导电型,并形成于衬底之中。第一扩散区具有第三导电型,并形成于第一井区之中。本体具有第一导电型,并形成于衬底、第一及第二井区之中。第二扩散区具有第三导电型,并形成于本体之中。第一栅极控制第一扩散区与本体的电连接。第三扩散区具有第四导电型,并形成于本体之中。第四扩散区具有第四导电型,并形成于第二井区之中。第二栅极控制第三与第四扩散区的电连接。本发明实施例的静电放电防护装置及电路,能够防止闩锁现象的发生,避免破坏集成电路。 | ||
搜索关键词: | 静电 放电 防护 装置 电路 | ||
【主权项】:
一种静电放电防护装置,其特征在于,所述的静电放电防护装置包括:一衬底,具有一第一导电型;一第一井区,具有一第二导电型,并形成于所述衬底之中;一第二井区,具有所述第二导电型,并形成于所述衬底之中;一第一扩散区,具有一第三导电型,并形成于所述第一井区之中;一第一本体,具有所述第一导电型,并形成于所述衬底、所述第一及第二井区之中;一第二扩散区,具有所述第三导电型,并形成于所述第一本体之中;一第一栅极,用以控制所述第一扩散区与所述第一本体的电连接,其中所述第一、第二扩散区及所述第一栅极构成一第一晶体管;一第三扩散区,具有一第四导电型,并形成于所述第一本体之中;一第四扩散区,具有所述第四导电型,并形成于所述第二井区之中;以及一第二栅极,用以控制所述第三与第四扩散区的电连接,其中所述第三、第四扩散区及所述第二栅极构成一第二晶体管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
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H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的