[发明专利]基于硼锗共掺上包层的二氧化硅光波导器件及制备方法有效
| 申请号： | 201010195943.6 | 申请日： | 2010-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN101859001A | 公开（公告）日： | 2010-10-13 |
| 发明（设计）人： | 何建军;林旭峰 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | G02B6/122 | 分类号： | G02B6/122;G02B6/132 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 林怀禹 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于硼锗共掺上包层的二氧化硅光波导器件及制备方法。在基底上沉积二氧化硅下包层，在下包层上表面沉积掺杂锗的二氧化硅薄膜后，通过光刻、刻蚀工艺形成截面为方形的波导芯层；在二氧化硅下包层与波导芯层上面沉积一层掺有硼和锗两种元素的二氧化硅上包层，上包层和芯层波导结构之间不存在空隙。在硼锗共掺的二氧化硅上包层沉积后进行高温热退火工艺，低熔点的上包层薄膜会回流进入相邻波导芯层中的间隙，这样就能在后续沉积膜层中减少遮蔽效应的作用，实现波导间空隙的完全填充，降低器件损耗。本发明的基于硼锗共掺上包层的二氧化硅波导器件结构，可广泛应用于分路器、耦合器和阵列波导光栅等高纵横比波导结构的器件。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 硼锗共掺上 包层 二氧化硅 波导 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于硼锗共掺上包层的二氧化硅光波导器件，在基底上沉积二氧化硅下包层，在下包层上表面沉积掺杂锗的二氧化硅薄膜后，通过光刻、刻蚀工艺形成截面为方形的波导芯层；其特征在于：在二氧化硅下包层与波导芯层上面沉积一层掺有硼和锗两种元素的二氧化硅上包层，上包层和芯层波导结构之间不存在空隙。
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