[发明专利]集成电路结构与形成集成电路结构的方法

摘要

一种集成电路结构与形成集成电路结构的方法，其中集成电路结构包括一介电层其具有一上部与一下部。该介电层为一层间介电层或一金属层间介电层之一。一相变随机存取存储器单元包括一相变条，其中该相变条为于该介电层的该下部上，且具有一上表面低于该介电层的上表面，与一下表面高于该介电层的下表面。一第一导电柱为电性连接至该相变条。该第一导电柱自该介电层的上表面向下延伸进入该介电层。一第二导电柱为于一周边区域中。该第二导电柱自该介电层的上表面向下延伸进入该介电层。该第一导电柱与该第二导电柱具有不同的高度。相变随机存取存储器单元的形成工艺以只需要三个或更少的额外的光罩与周边电路的形成相容。因此减少制造成本。

主权项

一种集成电路结构，包括：一介电层包括一上部与一下部，其中该介电层择自实质上由一层间介电层与一金属层间介电层所组成的群组；一相变随机存取存储器单元包括一相变条，其中该相变条为于该介电层的该下部上，且包括一上表面低于该介电层的上表面，与一下表面高于该介电层的下表面；一第一导电柱电性连接至该相变条，其中该第一导电柱自该介电层的上表面向下延伸进入该介电层；以及一第二导电柱于一周边区域中，其中该第二导电柱自该介电层的上表面向下延伸进入该介电层，且其中该第一导电柱与该第二导电柱具有不同的高度。