[发明专利]光刻胶图形的优化方法和接触孔的形成方法

摘要

一种光刻胶图形的优化方法和接触孔的形成方法，所述光刻胶图形的优化方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面依序形成有布线层、介质层、阻挡层和抗反射层；在所述抗反射层上形成光刻胶层，所述光刻胶层中的光刻胶具有玻璃化温度；通过曝光显影将掩模版上的接触孔图形转移至所述光刻胶层上，形成接触孔开口图形；在临近所述光刻胶的玻璃化温度下对所述接触孔开口图形进行烘烤，软化所述光刻胶层以使所述接触孔开口图形得到规整化。本发明通过在临近所述光刻胶的玻璃化温度下对接触孔开口图形的烘烤处理，使得接触孔开口图形得到规整化，制作出规整度较好的目标接触孔，提高了半导体器件的性能。

主权项

一种光刻胶图形的优化方法，其特征在于，包括：通过曝光显影将掩模版上的接触孔图形转移至光刻胶层上，形成接触孔开口图形；在临近光刻胶的玻璃化温度下对所述接触孔开口图形进行烘烤，软化所述光刻胶层以使所述接触孔开口图形得到规整化。