[发明专利]具有响应多个RF频率的等离子体处理器有效

专利信息
申请号: 201010188964.5 申请日: 2005-05-25
公开(公告)号: CN101866809A 公开(公告)日: 2010-10-20
发明(设计)人: R·季米萨;F·科扎克维奇;D·特拉塞尔 申请(专利权)人: 拉姆研究有限公司
主分类号: H01J37/32 分类号: H01J37/32
代理公司: 上海华晖信康知识产权代理事务所(普通合伙) 31244 代理人: 樊英如
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 一种处理工件的等离子体处理器包括具有频率2MHz、27MHz和60MHz的源,它们由三个匹配网络施加于包含工件的真空腔中的电极。可选择地由第四匹配网络将60MHz施加于第二电极。基本上调谐到驱动其的源的频率的匹配网络包括串联电感,所以2MHz电感超过27MHz网络电感,且27MHz网络电感超过60MHz网络电感。匹配网络将驱动其的源的频率衰减至少26DB。在27和60MHz源之间的分流电感器将2MHz从27和60MHz源分隔开。串联共振电路(共振于约5MHz)分流2MHz网络和电极以帮助2MHz源匹配于电极。
搜索关键词: 具有 响应 rf 频率 等离子体 处理器
【主权项】:
一种用于处理工件的真空等离子体处理器,包括:包含电极的真空等离子体处理腔,所述腔与电抗相关联,所述电极和所述电抗被配置成将等离子体激励场耦合于所述腔中的气体,所述腔被配置成承载所述工件,N个射频电功率源,其中N是至少为3的整数,各个所述源被配置成产生不同的射频,从而源i被配置成产生射频Fi,其中i是连续地从1至N的各个整数,频率F1是最低频率,频率FN是最高频率,且所述频率从F1至FN依次增大,以及将来自N个射频电功率源的在N个频率上的电功率提供给所述电极和所述电抗的电路,所述N个频率,在所述N个频率的每个的功率、所述电极、所述电抗、和所述电路被配置成:(a)使等离子体激励至所述N个频率的每一个,以及(b)防止功率与所述N个源的每一个在除了相关于特定源的频率之外的频率上的实质耦合,所述电路包括N个阻抗匹配网络,每个阻抗匹配网络与所述源之一相关联并被配置成:(a)将在与其相关联的源的频率上的等离子体激励功率耦合于所述电极,以及(b)充分衰减在其它源的频率上的功率以防止具有所述其它源的频率上的功率与所述关联于匹配网络的源的实质耦合,提供电功率的所述电路包括在所述电极和与具有频率F1的源相关联的阻抗匹配网络之间分流连接的串联共振电路,所述串联共振电路具有在F1和F2之间的频率,以对高于F1的任何频率上耦合于等离子体的功率没有显著影响,同时有助于提供具有所述频率F1的源与关联于所述电极的寄生阻抗的阻抗匹配。
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