[发明专利]一种去除微纳结构中溶剂的方法无效
| 申请号： | 201010188490.4 | 申请日： | 2010-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN101850945A | 公开（公告）日： | 2010-10-06 |
| 发明（设计）人： | 刘刚;熊瑛;周杰;田扬超 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B82B3/00 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人： | 贾玉忠 |
| 地址： | 230026*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 一种去除微纳结构中溶剂的方法，步骤为：(1)在基片上制作微纳结构，利用旋涂工艺在基片上旋涂光刻胶，然后采用光刻工艺在基片材料上得到所需高度的光刻胶结构，也可利用刻蚀工艺将光刻胶结构再转移到基片上，获得所需高度的基片材料微纳结构；(2)将完成漂洗的样品从溶剂中取出，样品上有微纳结构的面朝上，然后将基片放在样品上，使得基片材料上的微纳结构盖住样品上的微纳结构；或相反将基片有微纳结构的面朝上，然后将样品放在基片，使得基片材料上的微纳结构盖住样品上的微纳结构；(3)待溶剂挥发完后，将基片移开，完成辅助去除溶剂工艺，获得所需的微纳结构。本发明有效地解决了溶剂去除工艺中溶剂的表面张力给微纳结构带来的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 去除 结构 溶剂 方法 | ||
【主权项】：
一种去除微纳结构中溶剂的方法，其特征在于步骤如下：(1)在基片上制作微纳结构，利用旋涂工艺在基片上旋涂光刻胶，然后采用光刻工艺在基片材料上得到所需高度的光刻胶结构，也可利用刻蚀工艺将光刻胶结构再转移到基片上，获得所需高度的基片材料微纳结构；(2)将完成漂洗的样品从溶剂中取出，样品上有微纳结构的面朝上，然后将基片放在样品上，使得基片材料上的微纳结构盖住样品上的微纳结构；或相反将基片有微纳结构的面朝上，然后将样品放在基片，使得基片材料上的微纳结构盖住样品上的微纳结构；(3)待溶剂挥发完后，将基片移开，完成辅助去除溶剂工艺，获得所需的微纳结构。
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