[发明专利]有序硅纳米线的制备方法无效
| 申请号： | 201010185330.4 | 申请日： | 2010-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN101871116A | 公开（公告）日： | 2010-10-27 |
| 发明（设计）人： | 石明吉;陈兰莉;丁淑娟;尹应鹏;于家辉;罗鹏晖 | 申请（专利权）人： | 南阳理工学院 |
| 主分类号： | C25D11/12 | 分类号： | C25D11/12;C23C14/18;C23C14/28;C23C14/58 |
| 代理公司： | 郑州红元帅专利代理事务所(普通合伙) 41117 | 代理人： | 庄振乾 |
| 地址： | 473003 河南省*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明公开了纳米器件制造工艺技术领域的一种有序硅纳米线制备方法，其特征包括：铝片的清洗和电化学抛光、二次阳极氧化法制备阳极氧化铝模板、脉冲激光沉积技术制备硅与阳极氧化铝的复合膜、腐蚀掉阳极氧化铝模板，从而制备出尺寸一致，均匀分布在硅膜上的硅纳米线。利用该方法，通过控制阳极氧化铝模板的孔径，可以方便地制备出不同直径的有序硅纳米线，且具有“相互平行、分布均匀、垂直于衬底表面”的特点，通过选择不同种类和不同掺杂浓度的硅片作为脉冲激光沉积的靶材，可以得到不同种类和不同掺杂浓度的硅纳米线。 | ||
| 搜索关键词： | 有序 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种有序硅纳米线制备方法，其特征包括如下步骤：(1)高纯度铝片的超声波清洗和电化学抛光；(2)采用二次阳极氧化法制备阳极氧化铝模板；(3)以阳极氧化铝模板为衬底，采用脉冲激光沉积技术制备硅与阳极氧化铝的复合膜；(4)将复合膜从反应室取出后，在硅膜表面涂胶，胶干后，用盐酸溶液将阳极氧化铝模板完全腐蚀掉，离子水洗净晾干，这样就制备出尺寸一致，均匀分布在硅膜上的硅纳米线。
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