[发明专利]一种提高钛锡酸锶薄膜阻变存储性能的方法有效
| 申请号： | 201010179696.0 | 申请日： | 2010-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN102255043A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 翟继卫;周歧刚 | 申请（专利权）人： | 同济大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 许亦琳;余明伟 |
| 地址： | 200092 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种提高钛锡酸锶薄膜阻变存储性能的方法，所述方法包括向钛锡酸锶薄膜材料中掺杂摩尔含量为所述钛锡酸锶薄膜材料的0.1～4％的Mg和0.1～4％的Mn；所述钛锡酸锶薄膜材料的化学组成为SrTi(1-x)SnxO3，其中0.01≤x≤0.25。本发明通过在钛锡酸锶薄膜制备中掺杂化学元素镁，再辅以其它受主或变价杂质例如锰，改善了钛锡酸锶薄膜的微结构和物理性能，从而提高了钛锡酸锶薄膜在用于阻变存储器时高/低电阻态切变比率，使以钛锡酸锶薄膜为介质层的阻变存储器的高/低两种电阻状态在读取时更易于区分，从而大大提高阻变存储器器件读/写操作的可靠性和保存信息的长期性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 钛锡酸锶 薄膜 存储 性能 方法 | ||
【主权项】：
一种提高钛锡酸锶薄膜阻变存储性能的方法，所述方法包括向钛锡酸锶薄膜材料中掺杂摩尔含量为所述钛锡酸锶薄膜材料的0.1～4％的Mg和0.1～4％的Mn；所述钛锡酸锶薄膜材料的化学组成为SrTi(1‑x)SnxO3，其中0.01≤x≤0.25。
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