[发明专利]SDRAM存储器结构及数据读写方法无效

专利信息
申请号: 201010178081.6 申请日: 2010-05-20
公开(公告)号: CN101814012A 公开(公告)日: 2010-08-25
发明(设计)人: 张亮;罗升龙 申请(专利权)人: 锐迪科科技有限公司
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 丁纪铁
地址: 香港花园*** 国省代码: 中国香港;81
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摘要: 发明公开了一种SDRAM存储器结构,包括SDRAM存储单元和SDRAM控制器,所述SDRAM控制器中包括有多组SDRAM接口和一个仲裁器,所述多组SDRAM接口具有各自的优先级,所述仲裁器根据SDRAM接口的优先级高低及接收到数据请求的先后顺序确定哪个SDRAM接口进行数据的读写操作。本发明还公开了一种采用上述SDRAM存储器实现的数据读写方法,如果同时有多个宿主通过其各自的总线发出数据请求,所述仲裁器比较上述各宿主所对应的SDRAM接口的优先级,将SDRAM存储单元与优先级高的SDRAM接口相连接以进行数据的读写操作。本发明有效降低了外部总线的负载,使得多宿主可以同时访问SDRAM,有效节省片上SDRAM的空间。
搜索关键词: sdram 存储器 结构 数据 读写 方法
【主权项】:
一种SDRAM存储器结构,其特征在于,包括SDRAM存储单元和SDRAM控制器,所述SDRAM控制器中包括有多组SDRAM接口和一个仲裁器,所述多组SDRAM接口具有各自的优先级,并通过各自的总线连接到不同的宿主,所述宿主通过各自的总线向对应的SDRAM接口发出数据请求,所述仲裁器根据接收到数据请求的SDRAM接口的优先级高低及接收到数据请求的先后顺序确定将SDRAM存储单元连接到哪个SDRAM接口以进行数据的读写操作。
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