[发明专利]一种掺铝氧化锌重掺杂N型硅欧姆接触的制备方法无效
申请号: | 201010177758.4 | 申请日: | 2010-05-20 |
公开(公告)号: | CN101872801A | 公开(公告)日: | 2010-10-27 |
发明(设计)人: | 陈朝;杨倩;潘淼;庞爱锁;何发林;李艳华;武智平;郑兰花;罗学涛 | 申请(专利权)人: | 厦门大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 厦门南强之路专利事务所 35200 | 代理人: | 马应森 |
地址: | 361005 *** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 一种掺铝氧化锌重掺杂N型硅欧姆接触的制备方法,涉及太阳能电池。提供一种掺铝氧化锌重掺杂N型硅欧姆接触的制备方法。将P型多晶硅片清洗后,再以三氯氧磷为源扩磷,然后用氢氟酸腐蚀去表面的磷硅玻璃层,得扩磷后的多晶硅片;在扩磷后的多晶硅片的N型层上光刻出圆形传输线模型图形,再生长氧化锌掺铝薄膜,得样品;将样品浸泡在丙酮中,剥离多晶硅片N型层上的光刻胶后,退火,得掺铝氧化锌重掺杂N型硅欧姆接触。所制备的掺铝氧化锌重掺杂N型硅欧姆接触,通过不同退火的时间和温度由实验得到最优的欧姆接触制备条件,得到最佳的比接触电阻,提高多晶硅太阳电池的光电转换效率,满足器件性能要求,可用于高效率硅太阳能电池透明电极的制备。 | ||
搜索关键词: | 一种 氧化锌 掺杂 欧姆 接触 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种掺铝氧化锌重掺杂N型硅欧姆接触的制备方法,其特征在于包括以下步骤:1)将P型多晶硅片清洗后,再以三氯氧磷为源扩磷,然后用氢氟酸腐蚀去表面的磷硅玻璃层,得扩磷后的多晶硅片;2)在扩磷后的多晶硅片的N型层上光刻出圆形传输线模型图形,再生长氧化锌掺铝薄膜,得样品;3)将样品浸泡在丙酮中,剥离多晶硅片N型层上的光刻胶后,退火,得掺铝氧化锌重掺杂N型硅欧姆接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的