[发明专利]一种铁磁/反铁磁多层膜钉扎材料及其制备方法无效
| 申请号： | 201010177285.8 | 申请日： | 2010-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN101834053A | 公开（公告）日： | 2010-09-15 |
| 发明（设计）人： | 代波;蒋庆林;邢永燕 | 申请（专利权）人： | 西南科技大学 |
| 主分类号： | H01F10/32 | 分类号： | H01F10/32;H01F10/10;H01F41/14 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 621010 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种铁磁/反铁磁多层膜钉扎材料及其制备方法，该多层膜钉扎材料包括基片和在基片上设置的缓冲层、铁磁层I、反铁磁层、铁磁层II和设于其上的保护层；其制备方法是在基片上采用磁控溅射依次沉积各层得到该多层膜材料。采用本发明方法制备的多层膜钉扎材料，不仅成功地实现了铁磁/反铁磁交换偏置，而且利用交换耦合作用，增强了反铁磁材料的钉扎性能，使得铁磁/反铁磁交换偏置体系更加稳定，更适合于磁电子学器件的应用；制备工艺简单、材料性能稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 反铁磁 多层 膜钉扎 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种铁磁/反铁磁多层膜钉扎材料，其特征是包括：一基片，和在基片上依次设置的一缓冲层，用于诱导织构的反铁磁层；一铁磁层(I)，设置于缓冲层上；一反铁磁层，设置于铁磁层(I)上；一铁磁层(II)，设置于反铁磁层上；以及一设置于铁磁层(II)上的的保护层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西南科技大学，未经西南科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010177285.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：甲醛净化装置
- 下一篇：一种安全沥青路面微波加热器
