[发明专利]一种X射线显微透镜成像用氮化硅薄膜窗口的制作方法

摘要

本发明公开了一种X射线显微透镜成像用氮化硅薄膜窗口的制作方法，在一硅晶片衬底的两面上分别沉积一层低应力氮化硅薄膜，利用一掩膜板将氮化硅窗口图形转移至之相应的覆盖在一氮化硅薄膜上的光刻胶上，并形成光刻胶的被曝光显影的光刻开口区、及未曝光显影的非光刻区，通过光刻开口区刻蚀该氮化硅薄膜并暴露硅晶片衬底，在硅晶片衬底上刻蚀出氮化硅窗口图形沟槽，并在氮化硅窗口图形沟槽的底部与另一层氮化硅薄膜之间形成一层硅残留层，最后利用湿法刻蚀移除硅残留层。本发明使得氮化硅薄膜窗口的损伤减少并更加规则，可以任意调节硅衬底的厚度，缩短成品的制作周期时间，提高了成品率和生产效益。

主权项

一种X射线显微透镜成像用氮化硅薄膜窗口的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一硅晶片衬底，所述硅晶片衬底包含硅晶片衬底顶面和硅晶片衬底底面；可选的，在所述硅晶片衬底顶面进行化学抛光形成化学抛光面、在所述硅晶片衬底底面进行化学机械平坦化形成化学机械抛光面；在所述硅晶片衬底顶面沉积一层第一氮化硅薄膜、在所述硅晶片衬底底面沉积一层第二氮化硅薄膜；进行匀胶工艺以在所述第一氮化硅薄膜上形成一层光刻胶；提供一至少包含一个氮化硅窗口图形的掩膜板；利用所述掩膜板进行光刻工艺，形成所述光刻胶的被曝光显影的光刻开口区、及未曝光显影的非光刻区；通过所述光刻开口区刻蚀所述第一氮化硅薄膜；进行深硅刻蚀工艺，在所述硅晶片衬底的由于刻蚀所述第一氮化硅薄膜所暴露的区域上刻蚀出氮化硅窗口图形沟槽，并且，在所述氮化硅窗口图形沟槽的底部与所述第二氮化硅薄膜之间形成一层硅残留层；进行湿法刻蚀，刻蚀移除所述硅残留层。