[发明专利]高可靠功率混合集成电路的集成方法有效
| 申请号： | 201010165085.0 | 申请日： | 2010-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN101866861A | 公开（公告）日： | 2010-10-20 |
| 发明（设计）人： | 杨成刚;苏贵东;周正钟 | 申请（专利权）人： | 贵州振华风光半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L21/60 |
| 代理公司： | 贵阳中工知识产权代理事务所 52106 | 代理人： | 刘安宁 |
| 地址： | 550018 贵*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | 本发明公开了高可靠功率混合集成电路的集成方法，该方法包括：(1)首先将原始厚膜基片通过超声清洗干净、并烘干；(2)在高真空磁控溅射台内在陶瓷基片的背面用高真空溅射方法一次性形成Cu-Ni-Cr-Au多层复合薄膜；(3)在以上基础上，有选择性地再溅射一层Cu-Ni-Cr-Au复合薄膜，使其在选定的区域形成多层金属薄膜沟状网；(4)之后在高温下进行退火，得到厚膜基片；(5)将厚膜基片组装到管壳底座上，再组装半导体芯片和其他分立元器件，用硅-铝丝键合完成电路连接，封帽，即制成高可靠功率混合集成电路。采用本方法的集成电路具有很好的焊接系统致密性、附着力、热传导性，散热快速，保证电路的可靠性。广泛应用于航天、航空、船舶、精密仪器、地质勘探、石油勘探、通讯等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 可靠 功率 混合 集成电路 集成 方法 | ||
【主权项】：
一种高可靠功率混合集成电路的集成方法，其特征包括：(1)首先，按照常规工艺将原始厚膜基片通过超声清洗干净、并烘干；(2)在高真空磁控溅射台内在陶瓷基片的背面用高真空溅射方法一次性形成Cu-Ni-Cr-Au多层复合薄膜；(3)在第一次多层复合薄膜的基础上，在高真空磁控溅射台中，有选择性地再溅射一层Cu-Ni-Cr-Au复合薄膜，使其在选定的区域形成多层金属薄膜沟状网；(4)之后在高温下进行退火，即可得到所需的厚膜基片；(5)按照常规工艺，将厚膜基片组装到清洗、烘干后的管壳底座上，再组装半导体芯片和其他分立元器件，并用硅-铝丝键合以完成电路连接，最后，封帽，经测试合格，即制成高可靠功率混合集成电路。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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