[发明专利]晶圆背面金属层附着力的检测方法无效
| 申请号： | 201010164930.2 | 申请日： | 2010-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN101814450A | 公开（公告）日： | 2010-08-25 |
| 发明（设计）人： | 傅荣颢;刘玮荪 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明的晶圆背面金属层附着力的检测方法包括以下步骤：步骤1，分别在晶圆样品的正面和背面上淀积金属层；步骤2，在正面和背面均淀积有金属层的晶圆样品中选择芯粒作被测样品，分别在所述被测样品的正面和背面上焊接引线；步骤3，用拉力计拉所述被测样品背面的引线，并记录所述被测样品拉断前的拉力值；步骤4，对所述被测样品的断层位置进行分析。本发明的晶圆背面金属层附着力的检测方法能定量测量出晶圆背面金属层附着力的大小，且检测方法简单、成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 背面 金属 附着力 检测 方法 | ||
【主权项】：
一种晶圆背面金属层附着力的检测方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，分别在晶圆样品的正面和背面上淀积金属层；步骤2，在正面和背面均淀积有金属层的晶圆样品中选择芯粒作被测样品，分别在所述被测样品的正面和背面上焊接引线；步骤3，用拉力计拉所述被测样品背面的引线，并记录所述被测样品拉断前的拉力值；步骤4，对所述被测样品的断层位置进行分析。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
