[发明专利]可增加写入裕量的静态随机存取存储器有效
| 申请号： | 201010163847.3 | 申请日： | 2010-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN101814315A | 公开（公告）日： | 2010-08-25 |
| 发明（设计）人： | 胡剑 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/412 | 分类号： | G11C11/412 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明一种可增加写入裕量的静态随机存取存储器，至少包含：静态随机存取存储单元阵列，该静态随机存取存储单元阵列包含多个以阵列形式排列的静态随机存取存储单元；以及可控电源电路，连接于该静态随机存取存储单元阵列，用于给每个静态随机存取存储单元提供可控的电压，本发明在读出和保持模式下，静态随机存取存储单元阵列每列的供电电压及电源负端电压不变，当需要进行写入操作时，使被操作的静态随机存取存储单元所在列的供电电压减小或使得被操作的静态随机存取存储单元所在列的电源负端电压提高，其他列电压不变，这样可以使得本发明的静态随机存取存储单元可接受的低电平范围得以扩展，增加本发明静态随机存取存储器的写入裕量。 | ||
| 搜索关键词： | 可增加 写入 静态 随机存取存储器 | ||
【主权项】：
一种可增加写入裕量的静态随机存取存储器，至少包含：静态随机存取存储单元阵列，该静态随机存取存储单元阵列包含多个以阵列形式排列的静态随机存取存储单元；以及可控电源电路，连接于该静态随机存取存储单元阵列，用于给每个静态随机存取存储单元提供可控的电压。
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