[发明专利]一种片式氧传感器及其制备方法有效
申请号: | 201010160291.2 | 申请日: | 2010-04-23 |
公开(公告)号: | CN102235994A | 公开(公告)日: | 2011-11-09 |
发明(设计)人: | 徐斌;向其军;王田军 | 申请(专利权)人: | 比亚迪股份有限公司 |
主分类号: | G01N27/409 | 分类号: | G01N27/409 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518118 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明提供了一种片式氧传感器,所述片式氧传感包括加热体和加热体上部的测氧体;所述加热体,包括两个绝缘层和夹持于两绝缘层间的加热电极;所述测氧体,从下至上依次包括参比气基片、电解质层和多孔保护层;所述片式氧传感器还包括位于加热体和测氧体中间的过渡层,所述过渡层含有氧化锆、氧化硅和氧化铝。本发明还提供了所述片式氧传感器的制备方法。采用本发明提高的制备方法得到的片式氧传感器,各层结合紧密,密封性和抗热震性较高,使用寿命较长。 | ||
搜索关键词: | 一种 片式氧 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种片式氧传感器,所述片式氧传感包括加热体和加热体上部的测氧体;其特征在于,所述加热体,包括两个绝缘层和夹持于两绝缘层间的加热电极;所述测氧体,从下至上依次包括参比气基片、电解质层和多孔保护层;所述片式氧传感器还包括位于加热体和测氧体中间的过渡层,所述过渡层含有氧化锆、氧化硅和氧化铝。
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