[发明专利]一种超低温红釉助剂的制备方法与施釉工艺无效
| 申请号： | 201010156660.0 | 申请日： | 2010-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN102234202A | 公开（公告）日： | 2011-11-09 |
| 发明（设计）人： | 胡泽善;刘阁;蔡强;冯永成 | 申请（专利权）人： | 重庆工商大学 |
| 主分类号： | C04B41/86 | 分类号： | C04B41/86 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 400067*** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超低温红釉助剂的制备方法与施釉工艺，其主要特征是采用粒子大小在2-10纳米的氧化硅作助熔剂，其重量含量在30-60％之间(固含量下同)。采用有机高分子增黏，其组成可以是聚酰胺类、聚烯醇类以及聚乙二醇类，其在助剂中的含量在4-33％之间。可采用二次甲基萘磺酸钠作触变性控制剂，其用量可在1.5-8.0％之间。采用偏硅酸镁调节釉料高温流动性，其用量可在5-15％之间。采用硼酐作为釉料热膨胀系数调控剂，其用量可在12-36％之间。施釉过程中，超低温红釉助剂的重量占红釉的8-15％。施釉过程中，红釉与红釉助剂的总重量在釉将中占37-41％。釉烧条件为800℃3小时。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超低温 助剂 制备 方法 工艺 | ||
【主权项】：
一种超低温红釉助剂的制备方法与施釉工艺，其特征在于助剂组成包括：(1)采用纳米氧化硅作助熔剂；(2)采用聚酰胺类、聚烯醇类以及聚乙二醇类有机高分子增黏；(3)采用二次甲基萘磺酸钠作触变性控制剂；(4)采用偏硅酸镁调节釉料高温流动性；(5)采用硼酐作为釉料热膨胀系数调控剂；
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