[发明专利]一种新型的相变存储器结构及其制备工艺无效
| 申请号： | 201010153350.3 | 申请日： | 2010-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN102237490A | 公开（公告）日： | 2011-11-09 |
| 发明（设计）人： | 黄欢;陈芳 | 申请（专利权）人： | 黄欢;陈芳 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C11/56 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201800 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种新型的相变存储器结构及其制备工艺，其特点是：利用下电极和上电极将脉冲电流或电压施加到加热头，隔热层能很好的隔绝电信号和热量。加热头对相变材料进行加热使其发生晶态和非晶态的循环可逆变换，实现信息的写入和擦除。用弱电压或电流脉冲可实现记录信息的重复读出。增加了导热层和粘附层，粘附层可以将上电极很好的和导热层相连接，加入的导热层有利于信息的擦除，并有利于缩短写入时间，提高相变存储器的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 相变 存储器 结构 及其 制备 工艺 | ||
【主权项】：
一种新型的相变存储器结构及其制备工艺，其特点是：利用下电极(1)和上电极(7)将脉冲电流或电压施加到加热头(3)，隔热层(2)能很好的隔绝电信号和热量。加热头(3)对相变材料层(4)进行加热使其发生晶态和非晶态的循环可逆变换，实现信息的写入和擦除。用弱电压或电流脉冲可实现记录信息的重复读出。增加了导热层(5)和粘附层(6)，粘附层(6)可以将上电极(7)很好的和导热层(5)相连接，加入的导热层(5)有利于信息的擦除，并有利于缩短写入时间，提高相变存储器的性能。
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