[发明专利]集成半导体设备和制造该集成半导体设备的方法

摘要

一种集成半导体设备和制造该集成半导体设备的方法包括保留半导体层的一个部分使得当在SOI晶片上形成槽时在槽上形成倾斜表面。沿着该倾斜表面形成厚的二氧化硅膜(第二绝缘膜)。该厚的二氧化硅膜防止氧气进入槽内SOI晶片的绝缘层和半导体层之间的边界表面。

主权项

一种集成半导体设备，包括：基板；第一绝缘膜，布置在所述基板上；半导体层，布置在所述第一绝缘膜上并且包括由槽分开的多个半导体部件区；以及第二绝缘膜，形成在所述槽中；其中，所述多个半导体部件区中的每个具有边缘部分，所述边缘部分具有比半导体部件区的主表面和所述第一绝缘膜之间的间隔更小的厚度并且在所述槽下延伸，并且所述第二绝缘膜形成在所述槽的壁表面上且与所述第一绝缘膜接触。