[发明专利]发光二极管外延结构无效
| 申请号： | 201010141520.6 | 申请日： | 2010-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN101807639A | 公开（公告）日： | 2010-08-18 |
| 发明（设计）人： | 李玉芝;吉爱华 | 申请（专利权）人： | 潍坊广生新能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12 |
| 代理公司： | 潍坊正信专利事务所 37216 | 代理人： | 石誉虎 |
| 地址： | 261061 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管外延结构，所述发光二极管外延结构的衬底层为金刚石衬底层，将金刚石作为衬底生长氮化镓，由于金刚石与氮化镓的晶格匹配较好，从而使得发光二极管外延生长结构优良，缺陷小。而且金刚石具有高导热性能，将金刚石作为衬底，能将发光二极管内部产生的热量尽快疏导出去，降低了发光二极管内部的温度，提高了二极管的最大饱和电流，在加大电流的情况下发光效率仍继续增加，延长了发光二极管寿命，可作为照明光源的大功率发光二极管外延结构。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 外延 结构 | ||
【主权项】：
发光二极管外延结构，其特征在于：包括采用金刚石材料制成的金刚石衬底层；设于所述金刚石衬底层上的氮化镓缓冲层；设于所述氮化镓缓冲层上的半导体层，所述半导体层包括N型氮化镓半导体层、发光层以及P型氮化镓半导体层，所述发光层位于所述N型氮化镓半导体层与P型氮化镓半导体层之间；第一电极，所述第一电极电连接N型氮化镓半导体层；第二电极，所述第二电极电连接P型氮化镓半导体层。
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