[发明专利]基于硅基微环谐振腔的电控宽带光子射频移相器无效
| 申请号： | 201010138139.4 | 申请日： | 2010-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN101799608A | 公开（公告）日： | 2010-08-11 |
| 发明（设计）人： | 吴艳志;叶通;张亮;苏翼凯 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | G02F1/225 | 分类号： | G02F1/225;H01P1/18 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 31201 | 代理人： | 王锡麟;王桂忠 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种光纤通信技术领域的基于硅基微环谐振腔的电控宽带光子射频移相器，包括：载波抑制光双边带产生系统、硅基微环谐振腔系统、电压源和测量系统，所述的载波抑制光双边带产生系统包括：可调激光器、射频信号发生器、马赫曾德调制器和光放大器；所述的硅基微环谐振腔系统包括：硅基微环谐振腔和微波探针，其中的硅基微环谐振腔包括：电极、半径相等的两个硅基微环和直波导，所述的测量系统包括：光放大器、可调窄带滤波器、光检测器和示波器。本发明所用器件体积小、结构简单、易于集成，移相范围接近4π，移相范围大，反应速度快，且操作简单，成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 硅基微环 谐振腔 宽带 光子 射频 移相器 | ||
【主权项】：
一种基于硅基微环谐振腔的电控宽带光子射频移相器，其特征在于，包括：载波抑制光双边带产生系统、硅基微环谐振腔系统、电压源和测量系统，其中：载波抑制光双边带系统与硅基微环谐振腔系统的光输入端相连传输载波抑制光双边带信号，电压源与硅基微环谐振腔系统的电输入端相连传输连续可调的控制电压信号，硅基微环谐振腔系统的光输出端与测量系统的输入端相连传输经过移相后的光双边带信号。
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