[发明专利]包括具有前侧和背侧的硅单晶衬底和沉积于前侧上的SiGe层的晶片的生产方法有效
| 申请号： | 201010129041.2 | 申请日： | 2010-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN101887848A | 公开（公告）日： | 2010-11-17 |
| 发明（设计）人： | P·施托克;T·布施哈特 | 申请（专利权）人： | 硅电子股份公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/205 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 过晓东 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 晶片的生产方法，所述晶片包括具有前侧和背侧的硅单晶衬底和沉积于所述前侧上的SiGe层，所述方法包括下列顺序的步骤：同时抛光硅单晶衬底的前侧和背侧；在硅单晶衬底的背侧上沉积应力补偿层；抛光硅单晶衬底的前侧；清洁背侧上沉积了压力补偿层的硅单晶衬底；和在硅单晶衬底的前侧上沉积完全或部分松驰的SiGe层。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 具有 硅单晶 衬底 沉积 前侧上 sige 晶片 生产 方法 | ||
【主权项】：
晶片的生产方法，所述晶片包括具有前侧和背侧的硅单晶衬底和沉积于所述前侧上的SiGe层，所述方法包括下列顺序的步骤：同时抛光硅单晶衬底的前侧和背侧；在硅单晶衬底的背侧上沉积应力补偿层；抛光硅单晶衬底的前侧；清洁背侧上沉积了压力补偿层的硅单晶衬底；和在硅单晶衬底的前侧上沉积完全或部分松驰的SiGe层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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