[发明专利]减反射光栅的制备方法无效

专利信息
申请号: 201010122331.4 申请日: 2010-03-11
公开(公告)号: CN101806930A 公开(公告)日: 2010-08-18
发明(设计)人: 周常河;曹红超;冯吉军 申请(专利权)人: 中国科学院上海光学精密机械研究所
主分类号: G02B5/18 分类号: G02B5/18;G03F7/00
代理公司: 上海新天专利代理有限公司 31213 代理人: 张泽纯
地址: 201800 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种减反射光栅的制备方法。该方法利用模式理论中的有效模折射率的概念,将减反射光栅等效成一简单的法布里-珀罗干涉仪的结构。该方法包括三步:①首先根据要求选择相应的光栅衬底材料、入射波长、入射角度、入射介质的折射率和入射方式;②将我们制备的一维矩形光栅等效成一个类似于F-P腔的结构,然后根据模式理论计算入射介质、光栅区域和出射介质的等效折射率:③根据以上减反射光栅参数采用光刻方法进行减反射光栅制备。本发明具有精度高、物理意义明确的特点,在设计和制备减反射光栅方面具有重要的应用价值。
搜索关键词: 反射光栅 制备 方法
【主权项】:
一种减反射光栅的制备方法,其特征在于该方法包括下列步骤:①首先根据要求选择相应的光栅衬底材料、入射波长、入射角度、入射介质的折射率和入射方式;②将我们制备的一维矩形光栅等效成一个类似于F-P腔的结构,然后根据模式理论计算入射介质、光栅区域和出射介质的等效折射率:入射介质的等效折射率neffin利用下式计算: n eff in = n 1 cos θ - - - ( 1 ) 式中:n1为入射介质折射率,θ为入射角;光栅区域的等效折射率通过解如下的模式本征方程获得: cos [ k g ( 1 - f ) ] cos ( k r ) - k g 2 + k r 2 2 k g k r sin [ k g ( 1 - f ) Λ ] sin ( k r ) = cos ( αΛ ) - - - ( 2 ) 式中: k r = k 0 n r 2 - n eff - 0 2 , k g = k 0 n g 2 - n eff - 0 2 , α=k0sinθ.,nr-光栅脊背折射率,ng-光栅沟槽折射率,neff-0-光栅区域的零阶模式的等效折射率,f-光栅占空比,Λ-光栅周期,θ-入射角,k0-入射波在真空中的波矢(2π/λ);出射介质的等效折射率利用下式计算: n 2 eff _ 0 out = n 2 2 - ( k x 0 k 0 ) 2 - - - ( 3 ) 式中:kx0=k0n1 sin(θ),n2-出射介质,即光栅衬底材料的折射率根据薄膜理论可知,当光栅区域的等效折射率满足如下关系,并且厚度为四分之一波长时,反射减小为零: n eff _ 0 = n eff in n 2 eff _ 0 out - - - ( 4 ) h=λ/(4neff_0)                                        (5)解(1)、(2)、(3)、(4)和(5)的联立方程,求出减反射光栅各参数:光栅周期Λ、深度h和占空比f;③根据以上减反射光栅参数采用光刻方法进行减反射光栅制备。
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