[发明专利]高压侧半导体结构

摘要

一种高压侧半导体结构。高压侧半导体结构包括一基板、一第一深井、一第二深井、一第一主动组件、一第二主动组件及一掺杂井。第一深井及第二深井形成于基板内。其中第一深井及第二深井具有相同的离子掺杂型态。第一主动组件及第二主动组件分别形成于第一深井及第二深井内。掺杂井形成于基板内，并形成于第一深井及第二深井之间。掺杂井、第一深井及第二深井相互分开，且第一深井及第二深井与掺杂井具有互补的离子掺杂型态。

主权项

一种高压侧半导体结构，包括：一基板；一第一深井及一第二深井，形成于该基板内，其中该第一深井及该第二深井具有相同的离子掺杂型态；一第一主动组件及一第二主动组件，分别形成于该第一深井及该第二深井内；以及一掺杂井，形成于该基板内，并形成于该第一深井及该第二深井之间，该掺杂井、该第一深井及该第二深井相互分开，且该第一深井及该第二深井与该掺杂井具有互补的离子掺杂型态。