[发明专利]一种叠层太阳能电池及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201010117844.6 申请日: 2010-03-05
公开(公告)号: CN101969076A 公开(公告)日: 2011-02-09
发明(设计)人: 麦耀华;李宏;林清耿;王辉;陈琳 申请(专利权)人: 保定天威集团有限公司
主分类号: H01L31/042 分类号: H01L31/042;H01L31/0352;H01L31/0392;H01L31/20
代理公司: 唐山顺诚专利事务所 13106 代理人: 于文顺
地址: 071051 河北省*** 国省代码: 河北;13
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种叠层太阳能电池及其制造方法,属半导体器件技术领域,用于改善太阳能电池性能。技术方案是:构成中包括衬底(1)以及依次设置于衬底上的底电池、顶电池、透明导电减反膜(8)和金属栅电极(9),所述底电池为薄膜多晶硅异质结电池,由依次沉积于衬底上的N+型重掺杂硅薄膜(2)、N型多晶硅薄膜(3)和第一P型非晶硅薄膜(4)构成;所述顶电池为非晶硅P-I-N结电池,由依次沉积于底电池上的N型非晶硅薄膜(5)、非晶硅本征吸收层(6)和第二P型非晶硅薄膜(7)组成。本发明提高了电池的稳定性,可大大节省原材料,提高电池的开路电压和短路电流,获得更高的转换效率。
搜索关键词: 一种 太阳能电池 及其 制造 方法
【主权项】:
一种叠层太阳能电池,其特征在于包括衬底、底电池、顶电池、透明导电减反膜和金属栅电极,底电池、顶电池、透明导电减反膜(8)和金属栅电极(9)依次设置于衬底(1)上,所述底电池为薄膜多晶硅异质结电池,由依次沉积于衬底(1)上的N+型重掺杂硅薄膜(2)、 N型多晶硅薄膜(3)和第一P型非晶硅薄膜(4)构成;所述顶电池为非晶硅P‑I‑N结电池,由依次沉积于底电池上的N型非晶硅薄膜(5)、 非晶硅本征吸收层(6) 和 第二P型非晶硅薄膜(7)组成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于保定天威集团有限公司,未经保定天威集团有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201010117844.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top