[发明专利]一种叠层太阳能电池及其制造方法无效
申请号: | 201010117844.6 | 申请日: | 2010-03-05 |
公开(公告)号: | CN101969076A | 公开(公告)日: | 2011-02-09 |
发明(设计)人: | 麦耀华;李宏;林清耿;王辉;陈琳 | 申请(专利权)人: | 保定天威集团有限公司 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042;H01L31/0352;H01L31/0392;H01L31/20 |
代理公司: | 唐山顺诚专利事务所 13106 | 代理人: | 于文顺 |
地址: | 071051 河北省*** | 国省代码: | 河北;13 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种叠层太阳能电池及其制造方法,属半导体器件技术领域,用于改善太阳能电池性能。技术方案是:构成中包括衬底(1)以及依次设置于衬底上的底电池、顶电池、透明导电减反膜(8)和金属栅电极(9),所述底电池为薄膜多晶硅异质结电池,由依次沉积于衬底上的N+型重掺杂硅薄膜(2)、N型多晶硅薄膜(3)和第一P型非晶硅薄膜(4)构成;所述顶电池为非晶硅P-I-N结电池,由依次沉积于底电池上的N型非晶硅薄膜(5)、非晶硅本征吸收层(6)和第二P型非晶硅薄膜(7)组成。本发明提高了电池的稳定性,可大大节省原材料,提高电池的开路电压和短路电流,获得更高的转换效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种叠层太阳能电池,其特征在于包括衬底、底电池、顶电池、透明导电减反膜和金属栅电极,底电池、顶电池、透明导电减反膜(8)和金属栅电极(9)依次设置于衬底(1)上,所述底电池为薄膜多晶硅异质结电池,由依次沉积于衬底(1)上的N+型重掺杂硅薄膜(2)、 N型多晶硅薄膜(3)和第一P型非晶硅薄膜(4)构成;所述顶电池为非晶硅P‑I‑N结电池,由依次沉积于底电池上的N型非晶硅薄膜(5)、 非晶硅本征吸收层(6) 和 第二P型非晶硅薄膜(7)组成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于保定天威集团有限公司,未经保定天威集团有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201010117844.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种金属拉链叻架机烘箱烘带方法
- 下一篇:一种中低品位磷块岩双反浮选工艺
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的