[发明专利]大尺寸磷酸二氢钾单晶快速生长降温程序计算方法

摘要

本发明采用一种大尺寸磷酸二氢钾单晶快速生长降温程序计算方法，控制晶体的生长量与溶液温度的降低带来的溶质应析出量相等，KDP晶体在相对恒定的初始过饱和度下快速生长，提高晶体生长的均匀性，抑制生长层和散射颗粒的产生，有利于提高快速生长晶体质量。

主权项

一种大尺寸磷酸二氢钾单晶快速生长降温程序计算方法，该方法包括以下步骤：(1)首先计算溶液温度降低带来的溶质析出量m1(g)＝0.00335(T0‑T)M，其中T0(℃)为溶液饱和温度与快速生长初始过饱和温度之差，T(℃)为生长过程中某一时刻t的溶液温度，M(g)为生长溶液质量。(2)其次计算生长过程中某一时刻t晶体的生长量m2(g)＝ρ(x2z‑x3tgθ/3)，其中KDP晶体密度ρ＝2.338g/cm3，x(cm)和z(cm)分别某一时刻t，KDP晶体的底边长和高度。(3)控制晶体的生长量与溶液温度的降低带来的溶质应析出量相等，则m1＝m2，可得某一时刻t时应控制生长溶液温度T＝T0‑298.5ρ(x2z‑x3tgθ/3)/M，其中KDP晶体底边长x可以通过载晶架上的刻度测得，晶体高度可以用光学测高仪测得。