[发明专利]感应蒸发去除多晶硅中杂质硼的方法及装置有效
| 申请号： | 201010108252.8 | 申请日： | 2010-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN101774586A | 公开（公告）日： | 2010-07-14 |
| 发明（设计）人： | 战丽姝;李国斌;谭毅 | 申请（专利权）人： | 大连隆田科技有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 大连东方专利代理有限责任公司 21212 | 代理人： | 陈红燕 |
| 地址： | 116025辽宁省大连*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及感应蒸发去除多晶硅中杂质硼的方法及装置，所述方法是在高真空气氛中，采用感应线圈对高硼多晶硅进行熔炼至液态；再将所得液态硅蒸发并沉积出低硼多晶硅；最后将低硼多晶硅加以收集的工艺过程；所述高硼多晶硅的含硼量为0.0001％～0.001％，低硼多晶硅的含硼量为0.00002％～0.0001％。所述装置，包括放置于真空室内外围套有感应线圈的坩埚及其上的沉积板，所述沉积板通过其上与其连为一体的支撑杆插挂于所述真空圆桶的上部桶壁上并与所述桶壁螺纹连接。本发明利用感应加热去除多晶硅中杂质硼，产量大，去除效果好、效率高，提纯效果稳定，方法简单易行，适合大规模工业生产。 | ||
| 搜索关键词： | 感应 蒸发 去除 多晶 杂质 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种感应蒸发去除多晶硅中杂质硼的方法，包括：在高真空气氛中，首先采用感应线圈对高硼多晶硅进行熔炼至液态；再将所得液态硅蒸发并沉积出低硼多晶硅；最后将低硼多晶硅加以收集的工艺过程；所述高硼多晶硅的含硼量为0.0001％～0.001％，所述低硼多晶硅的含硼量为0.00002％～0.0001％。
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