[发明专利]一种功率MOS管及其制造方法

摘要

本发明提供了一种功率MOS管及其制造方法。现有技术中终端结构直接制作在硅衬底表面，从而增大了衬底表面形貌的复杂度和工艺难度。本发明先提供具有有源区和终端结构区的硅衬底，然后在所述硅衬底上制作缓冲层和硬掩模层，然后进行光刻和刻蚀工艺在该硬掩模层和缓冲层上形成凹槽图形，之后在硬掩模的遮蔽下进行刻蚀工艺以在终端结构区上形成凹槽，接着进行氧化工艺在凹槽中形成终端结构并去除硬掩模层和缓冲层，最后在该有源区上制作栅、源、漏极。本发明可有效降低硅衬底表面形貌的复杂度和工艺难度，并易于通过缩小终端结构来提高晶圆的空间利用率。

主权项

一种功率MOS管制造方法，其包括以下步骤：a、提供具有有源区和终端结构区的硅衬底；b、在该终端结构区上制造终端结构；c、在该有源区上制作栅、源、漏极；其特征在于，步骤b包括以下步骤：b1、在该硅衬底上制作缓冲层和硬掩模层；b2、进行光刻和刻蚀工艺在该硬掩模层和缓冲层上形成凹槽图形；b3、在硬掩模的遮蔽下进行刻蚀工艺以在终端结构区上形成凹槽；b4、进行氧化工艺在凹槽中形成终端结构；b5、去除硬掩模层和缓冲层。