[发明专利]超大面积高质量石墨烯薄膜电极的制备方法

摘要

本发明提供一种超大面积高质量石墨烯薄膜电极的制备方法，采用化学气相沉积法，将设置有金属箔片的螺旋型或S型石英槽置于反应器内，通入碳氢化合物催化分解，在金属箔片上得石墨烯薄膜；在上述产物上附着有机胶体，得有机胶体/石墨烯/金属箔片结合体；用金属箔片腐蚀液除去金属箔片，得有机胶体/石墨烯结合体；再用基片将上述步骤产物取出，放入去离子水中，清洗、烘干，得有机胶体/石墨烯/基片结合体；最后，用有机溶剂除去有机胶体，取出，自然干燥，得位于基片上的超大面积高质量石墨烯薄膜电极。本方法操作步骤简单，所得产品面积大，原料成本低，高导电性，高透光率。主要用于半导体、太阳能电池、液晶平板显示等领域。

主权项

一种超大面积高质量石墨烯薄膜电极的制备方法，其特征在于步骤如下：1)将放置有金属箔片的螺旋型或S型石英槽置于反应器内，通入氢气1～1000Pa，加热至700～1000℃，保温0～60分钟，然后再通入碳氢化合物气体0.1～100000Pa，再保温1～60分钟，之后以5～100℃/分钟的速度降温至室温，关闭氢气和碳氢化合物气体，在金属箔片上得石墨烯薄膜；2)在石墨烯薄膜上通过旋涂或喷涂或流延或直接滴有机胶体，于80～180℃温度下烘1～20分钟，得有机胶体/石墨烯/金属箔片结合体；3)将步骤2)所得产物浸渍于金属箔片腐蚀液中，除去金属箔片，得有机胶体/石墨烯结合体；4)用基片将步骤3)产物从金属箔片腐蚀液中取出，放入去离子水中，清洗后置于基片上，于80～180℃温度下烘1～20分钟，得有机胶体/石墨烯/基片结合体；5)将步骤4)所得产物放入去胶溶剂丙酮、乙醇、异丙醇中的一种或一种以上，除去有机胶体，取出，自然干燥，得附着于基片上的超大面积高质量石墨烯薄膜电极。