[发明专利]EEPROM器件的制作方法

摘要

本发明公开了一种EEPROM器件的制作方法，其中依次包括有如下步骤：首先，生长一层高压井注入的牺牲氧化层，形成高压井注入；然后，去除该牺牲氧化层，生长高压栅氧化层、形成隧穿窗口；之后，淀积浮栅，在逻辑区刻蚀掉浮栅，再淀积ONO(氧化硅/氮化硅/氧化硅)介质层，在逻辑区刻蚀掉ONO的上层氧化层以及氮化层，留下的底层氧化层作为低压井注入的阻挡层，形成低压井注入，并制作低压器件，在逻辑区刻蚀掉ONO；最后，生长5V栅氧化层。本发明通过上述方法，避免了低压器件的沟道注入受到高压栅氧生长的影响而耗尽，从而增强了低压器件的阈值电压可调节性，并且直接采用ONO介质层的氧化硅层作为低压井注入的牺牲氧化层，简化了工艺步骤。

主权项

一种EEPROM器件的制作方法，其特征在于，其中依次包括有如下步骤：首先，生长一层高压井注入的牺牲氧化层，形成高压井注入；然后，去除该牺牲氧化层，生长高压栅氧化层、形成隧穿窗口；之后，淀积浮栅，在逻辑区刻蚀掉浮栅，再淀积ONO介质层，在逻辑区刻蚀掉ONO介质层的位于上层的氧化硅层和中间的氮化硅层，留下的底层的氧化硅层；最后，将逻辑区未刻蚀掉的ONO介质层中的位于底层的氧化硅层作为低压井注入的牺牲氧化层，形成低压井注入，并制作低压器件。