[发明专利]声体波压电薄膜换能器双面光刻制作方法

摘要

本发明涉及声体波压电薄膜换能器双面光刻制作方法，步骤为：1)根据设计的底电极、压电膜和上电极各层的电极图形，制作底电极双面光刻掩膜版、套刻用压电膜和上电极掩膜版；2)在传声介质两端形成底电极金属薄膜；3)在底电极金属薄膜上双面光刻底电极图形；4)在传声介质两端溅射压电薄膜；5)在传声介质两端蒸发或溅射上电极薄膜；6)套刻制作压电膜图形；7)套刻制作上电极图形。本发明解决了机械掩模小尺寸图形无法制版，以及制作图形不规范，精度差等问题，使掩膜版的精度、电极图形的一致性可达到微米量级，传声介质尺寸范围大，可实现2mm～90mm范围内两端准直精度高，准直度可小于5微米。

主权项

声体波压电薄膜换能器双面光刻制作方法，其特征在于：它包括如下步骤：1)根据设计的底电极、压电膜和上电极各层的电极图形，制作底电极双面光刻掩膜版、套刻用压电膜和上电极掩膜版；底电极掩膜版为图形完全相同的两块，互为镜像，在底电极掩膜版上制作有实现两块版对准的对准标记；2)在传声介质两端通过蒸发或溅射方式形成底电极金属薄膜；3)通过两底电极掩膜版在传声介质两端底电极金属薄膜上双面光刻底电极图形；4)在第3)步的传声介质两端溅射压电薄膜；5)在第4)步的传声介质两端蒸发或溅射上电极薄膜；6)在第5)步的传声介质两端通过压电膜掩膜版套刻制作压电膜图形；7)在第6)步的传声介质两端通过上电极掩膜版套刻制作上电极图形。