[发明专利]包括用于导通孔的碳基材料的半导体器件有效
| 申请号： | 200980142002.1 | 申请日： | 2009-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN102197476A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | R·塞德尔;F·费尤斯特;R·里克特 | 申请（专利权）人： | 先进微装置公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/532 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;孙向民 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在半导体器件中，可基于含碳材料形成延伸穿过该器件的衬底的导通孔，从而提供与高温工艺良好的兼容性，同时还提供比掺杂半导体材料等优越的电性性能。因此，在一些实施例中，可在形成关键电路元件的任意工艺步骤之前形成该导通孔，以实质上避免该导通孔结构与该相应半导体器件的器件层的任何干扰。因此，可实现高效的三维集成方案。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 用于 导通孔 基材 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：衬底，具有正面和背面；多个电路元件，形成在该正面上方设置的半导体层之中及上方；以及导通孔，形成在该衬底中以至少延伸至该背面，该导通孔包括作为导电填充材料的碳基材料。
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