[发明专利]模拟方法及模拟装置

摘要

由运算装置基于存储在存储装置的数学式和器件参数进行运算，计算出硅层的表面电位(步骤4)。同样地，分别计算在硅层处于部分耗尽状态时以及处于完全耗尽状态时的埋入氧化膜之下的基体层的表面电位(步骤5、6)，由运算装置基于计算出的硅层的表面电位、计算出的基体层的表面电位及存储在存储装置的数学式进行运算，通过反复计算求出基体层的表面电位(步骤7)。然后，由运算装置基于通过反复计算求出的基体层的表面电位、存储在存储装置的数学式进行运算，计算出硅层的背面的电位(步骤8)。

主权项

一种模拟方法，对晶体管的器件特性进行模拟，该晶体管中，在埋入氧化膜之上的硅层中分隔地形成源区及漏区，在这些源区、漏区之间的沟道区之上隔着栅绝缘膜地形成栅电极，其特征在于，该模拟方法具备：从输入装置输入表示上述晶体管的特性的数据的一个表现形式即数学式，并将其存储在存储装置中的步骤；从上述输入装置输入上述晶体管的器件参数，并将其存储在上述存储装置中的步骤；由运算装置基于存储在上述存储装置中的数学式和器件参数进行运算，计算出上述硅层的表面电位的第一值的步骤；由上述运算装置基于存储在上述存储装置中的数学式和器件参数进行运算，分别计算出上述硅层处于部分耗尽状态时及上述硅层处于完全耗尽状态时的、上述埋入氧化膜之下的基体层的表面电位的第一值的步骤；由上述运算装置基于计算出的上述硅层的表面电位的第一值、计算出的上述基体层的表面电位的第一值以及存储在上述存储装置中的数学式进行运算，通过反复计算来求出上述基体层的表面电位的第二值的步骤；以及由上述运算装置基于通过上述反复计算求出的基体层的表面电位的第二值和存储在上述存储装置中的数学式进行运算，计算出上述硅层的背面电位的第一值的步骤。