[发明专利]源气体供给装置无效
| 申请号： | 200980138274.4 | 申请日： | 2009-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN102165560A | 公开（公告）日： | 2011-08-24 |
| 发明（设计）人： | 李炳一;张锡弼;朴暻完;宋钟镐 | 申请（专利权）人： | 泰拉半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 陈英俊 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种采用化学气相沉积法进行薄膜蒸镀时将源物质进行气化并供给蒸镀室的源气体供给装置。该源气体供给装置(200)包括：源气体生成部(210)，加热源物质而生成源气体；源气体凝结部(240)，使在源气体生成部生成的源气体流入并被凝结；在此，使源气体从源气体生成部(210)流入源气体凝结部(240)，并且在源气体凝结部(240)凝结源气体，直至在源气体凝结部(240)凝结的源气体的凝结量达到饱和凝结量为止；当在源气体凝结部(240)内凝结的源气体的凝结量达到饱和凝结量之后，阻断源气体从源气体生成部(210)流入源气体凝结部(240)，使在源气体凝结部(240)内凝结的源气体流入蒸镀室(250)。 | ||
| 搜索关键词： | 气体 供给 装置 | ||
【主权项】：
一种源气体供给装置，在采用化学气相沉积法进行薄膜蒸镀时，向蒸镀室供给源气体，其特征在于，包括：源气体生成部，加热源物质而生成源气体；以及源气体凝结部，在上述源气体生成部生成的源气体流入上述源气体凝结部并被凝结；其中，使源气体从上述源气体生成部流入上述源气体凝结部，并使源气体在上述源气体凝结部被凝结，直至在上述源气体凝结部凝结的源气体的凝结量达到饱和凝结量为止；当在上述源气体凝结部凝结的源气体的凝结量达到饱和凝结量之后，阻断源气体从上述源气体生成部流入上述源气体凝结部，并使凝结在上述源气体凝结部的源气体流入上述蒸镀室。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
